IRF7509TRPBF 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列
英飛凌科技 IRF7509TRPBF FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A, 2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 1.7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 25V |
| Power - Max | 1.25W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Supplier Device Package | Micro8? |
IRF7509TRPBF 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IRF7509TRPBF 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A。
IRF7509TRPBF 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（110mOhm @ 1.7A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（12nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（210pF @ 25V）、Power - Max（1.25W） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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