PMGD290XN,115 NexperiaFET、MOSFET 陣列
Nexperia PMGD290XN,115 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34pF @ 20V |
| Power - Max | 410mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
PMGD290XN,115 NexperiaFET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
PMGD290XN,115 是由 Nexperia 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA。
PMGD290XN,115 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（350mOhm @ 200mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.72nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（34pF @ 20V）、Power - Max（410mW） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球領(lǐng)先的、專注于大批量生產(chǎn)關(guān)鍵半導(dǎo)體的專家。作為電子元器件領(lǐng)域不可或缺的組成部分，Nexperia提供的各類電子元件是每一項(xiàng)電子設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合，涵蓋了二極管、雙極晶體管、ESD（靜電放電）保護(hù)器件、MOSFETs、GaN（氮化鎵）FETs以及模擬與邏輯IC芯片等核心電子產(chǎn)品。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是Nexperia代理商，專業(yè)供應(yīng)PMGD290XN,115等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要PMGD290XN,115的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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