BLF10M6200112 安普隆RF FET、MOSFET
安普隆 BLF10M6200112 RF FET、MOSFET
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規(guī)格參數
| Product Status | Obsolete |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | N-Channel |
| Frequency | 700MHz ~ 1GHz |
| Gain | 20dB |
| Voltage - Test | 28 V |
| Current Rating (Amps) | 4.2μA |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 1.4 A |
| Power - Output | 40W |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-502A |
| Supplier Device Package | SOT502A |
BLF10M6200112 安普隆RF FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南
BLF10M6200112 是由 安普隆 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。BLF10M6200 - POWER LDMOS TRANSIS。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS、Configuration: N-Channel、Frequency: 700MHz ~ 1GHz、Gain: 20dB、Voltage - Test: 28 V。
BLF10M6200112 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current Rating (Amps)（4.2μA）、Current - Test（1.4 A）、Power - Output（40W）、Voltage - Rated（65 V）、Mounting Type（Chassis Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 安普?。?/strong>安普?。ˋmpleon）品牌，自2015年獨立運營以來，已傳承并超越了五十余年射頻功率領域的深厚積淀與領導地位。作為一家專注于高頻應用創(chuàng)新的全球性企業(yè)，安普隆致力于通過先進的LDMOS和GaN（氮化鎵）技術，為構建更美好的世界貢獻力量。公司在全球擁有超過1600名員工，他們以客戶的成功為己任，通過緊密的合作、伙伴關系、持續(xù)的創(chuàng)新以及卓越的執(zhí)行力，為客戶提供領先的射頻功率元器件。安普隆提供一系列創(chuàng)新且性能卓越的產品和解決方案，廣泛應用于4G LTE和5G NR通信基礎設施、工業(yè)、科學、醫(yī)療、廣播、航空航天及國防等關鍵領域。 BLF10M6200112 現貨庫存充足，可通過深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司立即采購。作為 安普隆 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供BLF10M6200112價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 BLF10M6200112 的最新價格和交期信息。 深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是安普隆代理商，專業(yè)供應BLF10M6200112等RF FET、MOSFET
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