FGA30T65SHD 仙童半導體單 IGBT
仙童半導體 FGA30T65SHD 單 IGBT
FGA30T65SHD是仙童半導體旗下的單 IGBT 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FGA30T65SHD現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供FGA30T65SHD datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 238 W |
| Switching Energy | 598μJ (on), 167μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 54.7 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 14.4ns/52.8ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31.8 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
FGA30T65SHD 仙童半導體單 IGBT - 規(guī)格參數與選型指南
FGA30T65SHD 是由 仙童半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 60 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A。
FGA30T65SHD 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（238 W）、Switching Energy（598μJ (on), 167μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（54.7 nC）、Td (on/off) @ 25°C（14.4ns/52.8ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 仙童半導體：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半導體”，是全球知名的半導體解決方案供應商，以其在功率半導體和模擬集成電路領域的深厚積淀而聞名。自創(chuàng)立以來，仙童半導體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件，成為眾多行業(yè)領先企業(yè)信賴的合作伙伴。其主營產品類別廣泛，涵蓋了功率器件（如MOSFET、IGBT、二極管）、模擬IC（如運算放大器、數據轉換器、電源管理IC）、邏輯IC以及汽車電子專用器件等。這些電子元件是現代電子設備不可或缺的基礎。
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