IGW25N120H3FKSA1 英飛凌科技單 IGBT
英飛凌科技 IGW25N120H3FKSA1 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
| Power - Max | 326 W |
| Switching Energy | 2.65mJ |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 115 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/277ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
IGW25N120H3FKSA1 英飛凌科技單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IGW25N120H3FKSA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 50A 326W TO247-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A。
IGW25N120H3FKSA1 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（326 W）、Switching Energy（2.65mJ）、Input Type（Standard）、Gate Charge（115 nC）、Td (on/off) @ 25°C（27ns/277ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 英飛凌科技：**英飛凌科技（Infineon Technologies）：驅(qū)動(dòng)未來電子世界的核心力量**
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