EPC23103ENGRT 意法半導(dǎo)體全半橋驅(qū)動(dòng)器

EPC23103ENGRT 意法半導(dǎo)體全半橋驅(qū)動(dòng)器 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

EPC23103ENGRT 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 全半橋驅(qū)動(dòng)器 類電子元器件。IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Output Configuration: Half Bridge、Applications: DC Motors, DC-DC Converters、Interface: Logic、Load Type: Capacitive and Resistive、Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs。

EPC23103ENGRT 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Typ)（7.6mOhm LS + HS）、Current - Output / Channel（25A）、Current - Peak Output（109A）、Voltage - Supply（10V ~ 80V）、Voltage - Load（10V ~ 80V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者，始終致力于推動(dòng)電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強(qiáng)型氮化鎵硅基（eGaN?）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，成功地將GaN技術(shù)應(yīng)用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實(shí)現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍，為眾多尖端應(yīng)用領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。

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